晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）透露該公司將在2017年開始量產10納米制程，屆時將能與英特爾（Intel）并駕齊驅；“我們的10納米制程性能表現，包括速度、功率與密度，將會與我們認為英特爾為其10納米技術所定義的規格相當；”臺積電企業通訊部門總監Elizabeth Sun表示：“憑藉技術實力，我們認為能在10納米節點拉近差距。”

　　而臺積電首度  表示，今年預期將會有半導體產業界最大規模的資本支出，其目標是鞏固其晶圓代工市場領導地位，以對抗英特爾、三星（Samsung）與Global  Foundries等競爭者。臺積電將 2015年資本支出預算提高至115億美元至120億美元，較  2014年成長11.5~20%，主要原因是對市場的先進制程需求深具信心。英特爾的  2014年度資本支出為101億美元，今年則預期維持在100億美元左右，增減5億美元。

　　臺積電的Sun表示，隨著摩爾定律 （Moore‘s  Law）逐漸“失能”，產業界也剩下越來越少廠商能負擔先進制程所需的龐大投資：“當你繼續微縮晶片，成本就不斷上升，越來越少人能夠真正負擔得起。”她  透露，臺積電將在該公司的中科廠（編按：12寸晶圓Fab 15）進行10納米量產，該廠隨后也將量產更先進的制程節點。

    根業界消息，臺積電的中科晶圓廠在  2018年底將達到9萬片晶圓月產能，采用10納米節點或更先進制程技術；該公司在本月稍早也表示將投資5，000億臺幣（159億美元）擴展中科廠產  能。在1月份的財報發布會上，臺積電共同執行長劉德音表示，臺積電2015年營收成長率可望比產業估計12%的平均成長率高出“數個百分點”。

　　臺積電  2015年第一季營收預期在新臺幣2，210億~2，240億臺幣之間，較2014年同期成長約50%。臺積電中科晶圓廠2014年產值為2，000億臺幣，貢獻臺積電年度總產值約28%的比例。而Sun也透露，臺積電的10納米節點量產將采用浸潤式微影設備，至于更先進制  程節點將采用何種微影工具則尚未公布。

　　“我們正在與ASML合作，目標是在未來某個時候如果超紫外光微影（EUV）準備就緒，我們就能將  該技術部分應用于10納米制程節點；”Sun解釋，所謂的部分應用指的是指在少數關鍵電路層采用，而在10納米以下制程節點使用EUV微影仍要看該技術是  否準備好量產：“相關工作仍在持續進展。”