能把閃存、RAM和EEPROM三大存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)集于一身嗎？恒憶(Numonyx)推出的全新系列相變存儲(chǔ)器(PCM)就可以做到。該系列產(chǎn)品采用被稱(chēng)為相變存儲(chǔ)的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的寫(xiě)入性能、耐寫(xiě)次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性，適用于固線和無(wú)線通信設(shè)備、消費(fèi)電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。
    Numonyx亞太區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理徐宏來(lái)先生，近日在北京向記者詳細(xì)介紹了該新產(chǎn)品系列——Omneo PCM P5Q及P8P。

徐宏來(lái)先生
恒憶(Numonyx)亞太區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理

革命性技術(shù)——PCM
    Numony Omneo PCM所用的材料是硫族化合物Ge2、Sb2、Te5(GST)，利用其生成的相變可逆變的物質(zhì)，存儲(chǔ)新的信息。即通過(guò)在非晶態(tài)與晶態(tài)之間變化實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)；通過(guò)測(cè)量GST電阻實(shí)現(xiàn)讀取；通過(guò)電流給GST加熱(焦?fàn)栃?yīng))實(shí)現(xiàn)寫(xiě)入。徐宏來(lái)先生強(qiáng)調(diào)了PCM的一個(gè)特性——位修改性：“假設(shè)改變一個(gè)8位的信息，從‘10111001’改成‘01011010’，位修改性能使得8位中只需要改5位。但是按照目前NOR的原理或邏輯，就不能只改變這5位，而需要先把8位都擦除，形成‘11111111’的狀態(tài)，然后再寫(xiě)入‘01011010’，這是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的過(guò)程。可見(jiàn)位修改大大簡(jiǎn)化了寫(xiě)操作過(guò)程，速度更快，數(shù)據(jù)處理更簡(jiǎn)單易行。PCM提供了有效空間應(yīng)用，帶來(lái)了革命性的結(jié)果。此外，PCM還有非易失性，能對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)，且其讀寫(xiě)性、成本降低空間都有非常特別的地方。”
Omneo相變存儲(chǔ)器創(chuàng)新機(jī)遇
    “PCM帶來(lái)的變革會(huì)對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)革命性的影響，過(guò)兩年整個(gè)DRAM應(yīng)用可能會(huì)被PCM所取代。目前，DRAM所占有的產(chǎn)值是相當(dāng)大的，一旦被PCM取代，整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)可能被重新改寫(xiě)。”徐宏來(lái)先生自豪地說(shuō)，“基于很好的材料和特性，Numonyx有幸成為第一個(gè)做相變存儲(chǔ)器的公司，今天我將向大家介紹Omneo PCM P5Q和P8P。”
    雖然PCM采用的是革命性的材料，但目前Numonyx推出的產(chǎn)品是漸變、過(guò)渡的產(chǎn)品，其目的在于讓市場(chǎng)更快地接受它，認(rèn)識(shí)它與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器不一樣的地方，讓大家感受市場(chǎng)如何利用這個(gè)相變材料的特性生產(chǎn)出革命性產(chǎn)品。DDRx這個(gè)產(chǎn)品我們目前正在研發(fā)狀態(tài)，產(chǎn)品一旦推出，會(huì)對(duì)現(xiàn)在的DRAM應(yīng)用產(chǎn)生直接的影響。目前推出的P5Q和P8P是定位于嵌入式應(yīng)用的，具有嵌入式系統(tǒng)所需的2個(gè)性能：一是長(zhǎng)遠(yuǎn)制程升級(jí)能力，不管是NAND還是NOR，都是基于量存儲(chǔ)原理，在15 nm~12 nm就會(huì)產(chǎn)生瓶頸，而PCM不存在這個(gè)問(wèn)題；二是可靠性，PCM結(jié)構(gòu)相當(dāng)穩(wěn)定，不像NAND和NOR，在使用中氧化會(huì)使其急劇退化，所以只能做到10萬(wàn)次擦寫(xiě)的極限，而目前PCM已經(jīng)達(dá)到100萬(wàn)次，隨著工藝的提升，這個(gè)可靠性會(huì)有更進(jìn)一步的提高。
    徐宏來(lái)先生介紹：“兼容高速SPI接口的90 nm 128 MB P5Q瞄準(zhǔn)高速增長(zhǎng)的串行存儲(chǔ)器市場(chǎng)，支持并行NOR接口的90 nm 128 MB P8P 瞄準(zhǔn)并行存儲(chǔ)器市場(chǎng)。預(yù)計(jì)到2012年，45 nm計(jì)劃會(huì)將現(xiàn)有市場(chǎng)總規(guī)模擴(kuò)大到10億美元以上。”Numonyx Omneo相變存儲(chǔ)器給嵌入式應(yīng)用帶來(lái)的好處主要有：(1)簡(jiǎn)單易用，既能像RAM一樣可修改字節(jié)，又避免了閃存的文件系統(tǒng)；(2)提升系統(tǒng)性能，不但能模仿閃存，寫(xiě)速度是閃存的3倍，而且無(wú)擦除操作，寫(xiě)速度是閃存的10倍；(3)耐寫(xiě)能力是閃存的10倍，可以進(jìn)行100萬(wàn)次寫(xiě)操作。
    最后，徐宏來(lái)先生給記者展示了一些Omneo PCM的應(yīng)用案例。例如在智能電表中，P5Q可以完成NOR、EEPROM和NVRAM三者相加的功能，并且需要的電池容量更小，這樣既環(huán)保又實(shí)惠，在數(shù)字機(jī)頂盒、電信、商業(yè)打印機(jī)等領(lǐng)域，P5Q和P8P也能發(fā)揮同樣的作用。