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美光科技推出第三代低延时内存

美光与领先芯片组和定制ASIC设计公司合作开发高带宽、低延时网络解决方案
2010-07-14
作者:美光科技

  2010年7月14日, 北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術,能更有效的傳輸網(wǎng)絡信息。視頻內(nèi)容、移動應用和云計算的蓬勃發(fā)展,對網(wǎng)絡基礎設施提出了更高效的要求,以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比,美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進一步提高了存儲密度和速度,同時最大限度地減少了延遲,降低了功耗,在網(wǎng)絡應用中性能更好。
 
  美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說:“隨著互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容消費的不斷增長,人們?nèi)找嫘枰幸环N能支持網(wǎng)絡流量增長的技術,美光的RLDRAM 3內(nèi)存滿足了這種需求”。
 
  對于現(xiàn)有的RLDRAM 2,美光將繼續(xù)提供最高水平的技術支持,并計劃長期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外,美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)入更先進的50nm工藝,提高系統(tǒng)性能,降低功耗。
 
RLDRAM 3內(nèi)存產(chǎn)品特點
  美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的主要特點及優(yōu)點有:
  ·低延時:tRC不足10納秒,是業(yè)界最低的隨機存取延時
  ·高密度:576Mb-1Gb,靈活性高,可用于多種設計
  ·高速率:達2133Mb/s,數(shù)據(jù)存取速度更快
  ·高能效:1.2V IO和1.35V內(nèi)核電壓,更省電
  
構(gòu)建RLDRAM 合作伙伴網(wǎng)絡
  美光維持著龐大的合作伙伴網(wǎng)絡,使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網(wǎng)絡設備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作,為客戶提供量身定制的解決方案,優(yōu)化網(wǎng)絡系統(tǒng)性能。作為這個價值生態(tài)系統(tǒng)的一部分,美光目前合作的領先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx,RLDRAM 3內(nèi)存可集成到其產(chǎn)品系列中。
 
  Altera組件產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Luanne Schirrmeister說:“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數(shù)據(jù)通路,針對美光內(nèi)存設有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內(nèi)存的發(fā)布讓我們的內(nèi)存帶寬可高達1600 Mbps,為行業(yè)內(nèi)最高速度,大幅降低了延時。美光新的存儲產(chǎn)品搭配Altera新的內(nèi)存接口架構(gòu)是一項重要技術成果,是我們與美光多年技術合作的一項巔峰之作。”
 
  Xilinx應用和技術營銷資深總監(jiān)Rina Raman說:“Xilinx 7系列FPGA應用于最高級的網(wǎng)絡設備,用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作,支持其新的RLDRAM 3技術,讓我們的客戶能夠開發(fā)網(wǎng)絡平臺,來滿足最嚴格的基礎設施需求。”
 
產(chǎn)品可用性
  美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣,目前正與客戶合作,征求其對RLDRAM 3內(nèi)存設計的意見。此外,美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進行抽樣。
 
相關鏈接
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關于美光科技(Micron Technology, Inc)
  美光科技是世界領先的先進半導體解決方案提供商之一。美光依托全球性運營,制造和銷售一系列DRAM、NAND和NOR閃存、以及其他創(chuàng)新存儲技術、包裝解決方案和和半導體系統(tǒng),用于前沿計算、消費、聯(lián)網(wǎng)和移動產(chǎn)品。美光的普通股在NASDAQ上市交易,代碼為MU。欲了解有關美光的更詳盡信息,請訪問www.micron.com
 
  美光的logo請見:http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950
 
  美光和美光軌道標識屬于美光商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。RLDRAM是Qimonda AG在許多國家的注冊商標,由美光使用,但須經(jīng)Qimonda授權(quán)。
 
  本新聞稿包含前瞻性陳述,涉及美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的生產(chǎn)以及和50 nm RLDRAM 2樣品的供應。實際情況或結(jié)果可能與前瞻性陳述大相徑庭。請綜合參閱美光不時在證券交易委員會存檔的文件,特別美光最新的10-K表和10-Q表。這些文件載有并明確指出了可能會使美光實際綜合業(yè)績與前瞻性陳述大不相同的重要因素(見某些因素摂)。雖然我們認為,前瞻性陳述反映的預期非常合理,但我們不能對未來結(jié)果、活動水平、業(yè)績或成就給予保證。
 

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