全球第2大NAND型快閃存儲器廠商東芝近日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導體露光技術“納米壓印技術”的研發(fā)腳步，已和南韓半導體大廠SK海力士正式簽署契約，雙方技術人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關鍵技術，目標為在2017年實用化。
東芝于去年12月和SK海力士就NAND Flash侵權案一事達成和解，海力士除同意支付東芝2.78億美元（約330億日圓）和解金外，雙方當時也宣布將攜手研發(fā)被稱為“納米壓印”的次世代半導體露光技術。
據(jù)日經(jīng)新聞指出，東芝已于2014年開始量產(chǎn)全球最先端的15nm NAND Flash產(chǎn)品，而就現(xiàn)行技術來看，15nm被視為是存儲器電路線幅細微化的極限，而東芝期望借由研發(fā)NIL技術、突破細微化極限，讓已逼近極限的電路線幅能進一步細微化，以借此提高產(chǎn)品性能及成本競爭力。
日經(jīng)指出，東芝目前已和Canon攜手研發(fā)NIL制造設備，而東芝和SK海力士于NIL制程技術的研發(fā)成果也將回饋至制造設備的研發(fā)上。
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