南韓為穩固全球記憶體龍頭地位，在產業通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業為投資要角的產官學新合作研發模式，亦將次世代非揮發性記憶體與新興材料、技術列為研發重點。

　　2013~2017年南韓將引進由政府與企業共同提供資金給學術機構研發的新合作模式，研發成果的智財權將由學術機構擁有，此將有利提高往后提供南韓中小型企業運用的可能性。

　　觀察2013~2017年南韓列為研發重點的5項記憶體相關技術，包括相變化記憶體(Phase-change Random Access Memory;PRAM)等新興非揮發性記憶體，及有助提升記憶體運算效能的銅/石墨烯積層構造技術、三五族通道材料、穿隧式場效電晶體(Tunnel Field Effect Transistor;TFET)、光學內部連結等技術。

　　透過研發新興記憶體相關材料與技術，南韓計劃開發高附加價值型記憶體核心技術，除朝穿戴式裝置擴大應用范圍外，更將提升容量與增添功能，并降低功耗以符合行動應用低功耗需求。

　　為平衡三星與南韓封測、IC設計公司等中小型企業間的差距，在南韓政府主導下，如三星等大企業于半導體領域有閑置廠房、設備或智財權，將可移轉給南韓中小企業使用，此將有利促成南韓大型企業與中小型企業共同成長。

　　由于南韓自2012年起已推動將奈米碳管等技術應用于后(Post)互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)型次世代半導體的奈米相關計畫，為避免資源浪費，南韓已著手協調奈米相關計畫與半導體計畫的負責單位協議組成新團 體，以促使成果相互連結。

　　DIGITIMES Research觀察，南韓為穩固全球記憶體龍頭地位，不僅將重點放在研發新技術上，亦將透過研發成果及大企業閑置資產可由南韓中小型企業運用的方式，促成大型與中小型企業平衡發展，以避免資源過度集中的情形。

　　南韓次世代記憶體材料研發計畫預計投入金額及重點項目