為了滿足超大規模集成電路(VLSI)發展的需要，TSV （硅通孔Through Silicon Via）技術成為實現三維晶片(3D IC)關鍵制程的重要途徑，而追求高性價比的TSV工藝的驅動力也使得等比縮小硅通孔尺寸并采用高深寬比TSV結構成為必然趨勢。

隨著TSV深寬比的增加（主流的TSV深寬比已經達到10：1，3D IC的深寬比預計未來將達到15：1或更高），TSV清洗工藝難度也迅速增大。從TSV的結構特征上來講，側壁扇貝狀結構，頸部屋檐結構，是影響清洗效果的兩個重要因素；從工藝集成的角度來看，光刻膠去除過程中，TSV底部容易有TSV側壁剝落的大顆粒氟化物，同時Bosch刻蝕工藝過程中形成的難溶性的光刻膠-氟化物聚合物也會殘留在TSV表面甚至落入TSV孔內形成頑固殘留。由于清洗液在溝槽內部的物質交換主要由擴散來決定。TSV深度越大，擴散路徑也越長。傳統的清洗工藝由于晶圓表面清洗液邊界層較厚（傳統的旋轉晶圓的方式，即使轉速高達600RPM，邊界層厚度仍達到16.8um），清洗液的運動無法傳遞到深溝槽內部形成對流，因此已經不能滿足高深寬比TSV的清洗要求。

“盛美研制成功的適用于TSV制程的濕法清洗設備可應用于300mm及200mm晶圓TSV深孔清洗制程。配備了盛美SAPS（空間交變相位移）兆聲波技術，克服了傳統清洗藥液無法進入高深寬比TSV結構的缺點，與同類產品相比具有極大的優勢。”盛美半導體設備公司的創始人、首席執行官王暉博士說。它通過控制工藝過程中兆聲波發生器和晶圓之間的相對運動，使得晶圓上每一點在工藝時間內接收到的兆聲波能量都相同，并確保晶圓上每點所經歷的能量周期在工藝的安全能量區域內，由此在晶圓表面產生均勻的兆聲波能量分布，同時在兆聲波的作用下，晶圓表面清洗液的邊界層厚度由于兆聲波的作用變得很薄。當邊界層厚度δ小于TSV開口寬度的一半時（在1MHz兆聲作用下，邊界層厚度可以減小到0.6um；在3MHz兆聲作用下，邊界層厚度可以減小到0.3um。一般TSV結構中，T SV開口寬度一般為幾到幾十個微米），藥液可以對流方式進入圖案內部，形成攪拌的作用，從而加快清洗化學成份的交換，使TSV內部的藥液成分與晶圓表面保持較小的濃度差異，促進藥液在TSV孔內的反應，提高藥液反應速度；利用兆聲波技術還可以降低清洗藥液在硅表面的粘滯層厚度，增加對殘留物的橫向拉力，起到模擬擦片的作用。機械和化學清洗同時得到加強，使清洗的效率大幅提高。目前，SAPS兆聲波優異的清洗效果已經在10x100μm，2x40μm ，5x50μm等多種TSV結構中得到驗證。

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