中國，2014年6月30日——意法半導體的新系列場效應整流二極管(FERD)完美解決了低正向壓降(VF)與低漏電流(IR)之間不可兼得的矛盾關系，讓充電器和筆記本適配器等設備的設計人員在無需使用成本更高的同步整流管的前提下滿足要求最嚴格的能效標準。

Energy Star 6.0標準用于測試傳統肖特基二極管在充電器和筆記本電腦適配器內達到的性能極限。同步整流二極管雖然性能優異，但是成本卻比傳統肖特基二極管高出很多。由于符合離線開關式電源節能標準的能效要求，同時成本比同步整流管低大約30%，意法半導體的FERD系列整流二極管引起了市場關注。

輸出電流15A至2x30A，輸出電壓45V至60V，場效應整流二極管采用意法半導體的單位面積內VF/IR 比最好的專利技術。例如，30A的場效應整流二極管的正向電壓降比傳統30A肖特基二極管降低大約140mV，同時泄漏電流保持不變。

在特定封裝散熱性能下，因為正向電壓降更低，泄漏電流處理得更好，意法半導體技術提高了封裝的輸出電流容量。新產品有諸多優點，例如，加快智能手機和平板電腦的充電速度，縮減筆記本電腦充電器的尺寸和重量，因為場效應整流二極管的工作溫度更低，有助于延長產品使用壽命。

FERD技術還非常適用于其它設備和系統，例如汽車應用中的續流二極管或電池極性接反保護；電信電源中的OR-ing二極管；工業系統中的整流二極管，為滿足不同市場的需求，該系列產品提供各種額定電壓和電流的場效應整流二極管。

目前上市的場效應整流二極管共有12款，提供TO-220AB、D²PAK和PowerFLATTM  5 x 6三種封裝。

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意法半導體2013年凈收入80.8 億美元。詳情請訪問公司網站www.st.com。