日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
　
　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現更高的效率，同時避免出現導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。
　
　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味著低傳導損耗，可以在用于LIPS逆變器、HID、PC電源和鎮流器的LLC、全橋、半橋和雙管正激拓撲中節省能源。
　
　　為了能可靠地工作，該器件進行了完備的雪崩測試，可處理22A的脈沖峰值電流和8A的連續電流(由最高結溫限定)。SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封裝，符合RoHS指令2002/95/EC。
　
　　新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。
　
VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。