中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘MOSFET。中科院指出，中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。
　　
　　根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心表示，這項(xiàng)研發(fā)專案并結(jié)合來(lái)自北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)以及中科院微系統(tǒng)所的研究人員們經(jīng)過3年的共同努力，于近期取得了突破性進(jìn)展。
　　
　　針對(duì)22nmCMOS技術(shù)節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)，該產(chǎn)學(xué)研發(fā)團(tuán)隊(duì)在N型和P型MOS電容上取得了EOT≦8.5、漏電流降低3個(gè)數(shù)量級(jí)以及金屬閘主動(dòng)功函數(shù)距矽晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出元件性能進(jìn)一步提升的22nmMOSFET元件。
　　
　　中科院微電子研究所與微系統(tǒng)所、北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)的開發(fā)團(tuán)隊(duì)們已完成了1369項(xiàng)專利申請(qǐng)(國(guó)際專利申請(qǐng)424項(xiàng))，其中高K/金屬閘極制程及相關(guān)專利、金屬堆疊結(jié)構(gòu)及其它專利已開始在中國(guó)制造廠導(dǎo)入開發(fā)。
　　
　　中科院指出，導(dǎo)入中國(guó)自行開發(fā)的22nmIC技術(shù)，將可為中國(guó)節(jié)省進(jìn)口國(guó)外晶片或制程技術(shù)的龐大費(fèi)用，并提升中國(guó)國(guó)產(chǎn)IC的競(jìng)爭(zhēng)力。
　　
　　22/20-nm先進(jìn)制程技術(shù)才剛導(dǎo)入商用領(lǐng)域，該技術(shù)之以受到重視要在于它能為智慧型手機(jī)與平板電腦降低功耗，從而實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的電池壽命。然而，中國(guó)在22nm電晶體技術(shù)開發(fā)道路上約落后西方2-4年。英特爾(Intel)先前已量產(chǎn)22nmFinFET制程元件，而臺(tái)積電(TSMC)也預(yù)計(jì)將在2013年量產(chǎn)20nm平面CMOS制程。
　　
　　多年來(lái)，在CoCom輸出條款以及Wassennaar協(xié)定的限制下，中國(guó)先進(jìn)電子制造技術(shù)領(lǐng)域一直因?yàn)闊o(wú)法取得外來(lái)高科技產(chǎn)品與技術(shù)而使其發(fā)展受阻。然而，近年來(lái)，中國(guó)已透過一系列的外來(lái)制技術(shù)授權(quán)以及自我教育而逐漸迎頭趕上。中國(guó)本土的晶圓代工廠中芯國(guó)際(SMIC)目前已有能力提供商用40nmCMOS制程。
　　
　　根據(jù)中國(guó)新華社的報(bào)導(dǎo)，中國(guó)展開先進(jìn)22nm電晶體制造屬于2009年國(guó)家重大科技專項(xiàng)的一部份。