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我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展

2012-12-25
作者:Csia
來源:Csia

  
  近年來,我們使用的電腦、手機等速度更快、耗電更省、成本更低,這有賴于集成電路制造工藝的不斷進步。記者近日從中國科學院微電子研究所獲悉,該所集成電路先導工藝研發中心在22納米技術代集成電路關鍵技術研發上取得突破性進展,掌握這種最先進的集成電路制造工藝將有利于提升我國自主生產制造更加質優價廉的集成電路產品的能力。
  
  22納米技術代集成電路技術是全球正在研發的最新一代集成電路制造工藝,各國都投入了巨大資金,誰先把這種技術開發出來,誰就能降低集成電路產品的成本,搶占市場先機。多年來,我國的集成電路制造工藝大多是在引進國外知識產權基礎上進行產品工藝開發,在全球產業鏈最先進工藝的開發上缺少布局和話語權。2009年,我國在國家科技重大專項的支持下開始22納米技術代集成電路關鍵技術研發工作,經過3年多努力取得突破性進展。
  
  據介紹,22納米約相當于普通成年人頭發絲直徑的2300分之一,采用22納米集成電路技術可以在一根頭發絲的橫截面上集成大約1000萬個晶體管,從而使集成電路產品的功能更多樣化,速度更快,成本更低。研究人員摒棄了傳統的二氧化硅、多晶硅等材料,采用了高K材料、金屬柵材料等新材料新工藝,研制出了性能良好的器件,技術水平達到國內領先、世界一流。
  
  研發過程中,中國科學院與北京大學、清華大學、復旦大學的聯合項目組完成了1369項專利申請,其中包括424項國際專利申請,為我國在集成電路領域掌握自主知識產權,取得國際話語權奠定了基礎。該成果的取得也為我國繼續自主研發更先進的16納米及以下技術代的關鍵工藝提供了必要的技術支撐。
  
  
  
  

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