日前，上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”），專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)先企業(yè)，宣布成功開發(fā)出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊（具有單字節(jié)擦寫能力）。
　　
　　宏力半導(dǎo)體先進的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲技術(shù)，第一次在0.13微米1.5伏低漏電、低功耗邏輯工藝平臺上實現(xiàn)了閃存模塊和EEPROM模塊的完美結(jié)合。基于該先進技術(shù)開發(fā)出的0.13微米嵌入式EEPROM模塊，數(shù)據(jù)保持時間達到100年，擦寫次數(shù)大幅提高到50萬次。此次顯著的技術(shù)創(chuàng)新與提升，標志著宏力半導(dǎo)體在嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域邁入了新的里程碑，進一步鞏固了宏力半導(dǎo)體在嵌入式非揮發(fā)性存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
　　
　　“0.13微米嵌入式EEPROM模塊因其耐久的數(shù)據(jù)保持時間和優(yōu)異的擦寫能力，一經(jīng)推出，就受到了客戶的青睞。”企業(yè)發(fā)展暨戰(zhàn)略單位副總經(jīng)理傅城博士表示，“搭載該模塊的產(chǎn)品能夠為客戶提供高可靠性、低成本的解決方案，在銀行卡、金融IC卡、移動支付、RFID、電子護照等安全類芯片和MCU中具有廣闊的前景。”