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Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

D系列MOSFET采用高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平
2012-05-03

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A~36A電流,采用多種封裝。

今天發布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術,使效率和功率密度達到新的水平。器件的條帶設計加上更小的裸片尺寸和端接,使柵極電荷比前一代方案低50%,同時提高了開關速度,降低了導通電阻和輸入電容。

400V、500V和600V器件的導通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導通電阻意味著極低的傳導和開關損耗,能夠在服務器和通信電源系統、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強度放電(HID)照明、半導體設備和電磁加熱的高功率、高性能開關電源應用中節約能源。

D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC,具有最佳的柵極電荷與導通電阻乘積,該值是用在功率轉換應用中MOSFET的關鍵優值系數(FOM),400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。

新的D系列MOSFET采用簡單的柵極驅動電路、非常耐用的本體二極管,易于設計到更緊湊、更輕、發熱更少的終端產品中。器件符合RoHS指令,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定,雪崩(UIS)定級讓器件能夠穩定可靠地工作。

器件規格表:

型號

電壓(V)

ID @ 25 ºC (A)

RDS(ON)@  max 10 V (Ω)

Qg 典型值(nC)

封裝

SiHP6N40D

400

6

1.0

9

TO-220

SiHF6N40D

400

6

1.0

9

TO-220F

SiHP10N40D

400

10

0.55

15

TO-220

SiHF10N40D

400

10

0.55

15

TO-220F

SiHG25N40D

400

25

0.17

44

TO-247

SiHP25N40D

400

25

0.17

44

TO-220

SiHU3N50D

500

3

3.0

6

IPAK/TO-251

SiHD3N50D

500

3

3.0

6

DPAK/TO-252

SiHD5N50D

500

5

1.5

10

DPAK/TO-252

SiHP5N50D

500

5

1.5

10

TO-220

SiHF5N50D

500

5

1.5

10

T-Max®

SiHU5N50D

500

5

1.5

10

IPAK/TO-251

SiHP8N50D

500

8

0.85

15

TO-220

SiHF8N50D

500

8

0.85

15

TO-220F

SiHP14N50D*

500

14

0.40

30

TO-220

SiHG14N50D*

500

14

0.40

30

TO-247AC

SiHF18N50D*

500

18

0.27

37

TO-220F

SiHG460B/IRFP460B

500

20

0.25

85

TO-247AC

SiHG22N50D*

500

22

0.23

52

TO-247AC

SiHG32N50D*

500

32

0.16

72

TO-247AC

SiHS36N50D*

500

36

0.13

92

Super TO-247

SiHP17N60D

600

17

0.34

45

TO-220

SiHG17N60D

600

17

0.34

45

TO-247AC

*目標標準,產品即將面世

新的D系列MOSFET現可提供樣品,將在2012年3季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站www.vishay.com

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