IDM與Multitest公司日前宣布其UltraFlat(tm)工藝達到高測試并行度垂直探針卡應用要求。
對于DDR3內存等應用，晶圓級測試中的電路板平面度要求變得日益重要。為優化MLO/MLC附屬裝置和接觸單元界面，需要一個更佳的表面。此外，更平整的印刷電路板要求探針接觸的變形度更小，同時降低了接觸磨損。
利用印刷電路板疊放工藝和印刷電路板結構的相關知識，Multitest推出符合上述要求的新型UltraFlat(tm)工藝。UltraFlat(tm)通過消除印刷電路板的翹曲/彎曲，保證相對苛刻的總平面度誤差。與可提供臨時平整印刷電路板的“平整-烘烤”工藝不同，Mutltitest的UltraFlat(tm)工藝為印刷電路板帶來持久的整體平面度。通過UltraFlat(tm)，Multitest通常可以達到1.0%的翹曲/彎曲要求。
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