英飛凌科技(InfineonTechnologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據點生產出首款300mm(12寸)薄晶圓之功率半導體晶片(firstsilicon)，成為全球首家進一步成功采用此技術的公司。采用300mm薄晶圓生產之晶片的功能特性，與以200mm晶圓制造之功率半導體相同，已成功通過在高壓應用產品中使用金氧半導體場效電晶體(MOSFET)的應用測試證明。
　　
　　2010年10月，英飛凌已在奧地利菲拉赫著手設立300mm晶圓及薄晶圓技術的功率半導體前導生產線。目前該團隊擁有50名工程師和物理學家，來自研究、開發、制造技術及市場行銷等各個領域。首顆300mm下線晶片，是英飛凌持續成功制造節能產品專用之功率半導體的推手。根據IMSResearch于今年8月提出的研究報告，英飛凌在2010年仍位居全球功率半導體市場龍頭，并已連續第8年獲此殊榮。
　　
　　在電晶體發明55年之后，英飛凌以革命性CoolMOS電晶體技術，榮獲2002年德國工業創新大獎(GermanIndustry’sInnovationAward)。高壓電晶體，已在眾多應用領域提升能源效率，如PC電源供應器、伺服器、太陽能電源轉換器、照明與電信系統。這些節能晶片目前也是消費性電子裝置的必要元件，如平面電視和游樂器。使用能源、節約能源且不失效率，已成為所有用電產業與家庭應用的首要需求。英飛凌的節能半導體解決方案，可節省高達25%的全球電力消耗。
　　
　　英飛凌今年7月底宣布，將德勒斯登(Dresden)設立為Power300技術的高量產據點，作為其投資計劃之一。從計劃開始執行到2014年，英飛凌科技德勒斯登公司(InfineonTechnologiesDresdenGmbH)將投資約2.5億歐元，并為德勒斯登創造近250個工作機會。