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一种工作在亚阈区超低功耗带隙基准源的设计

2009-06-01
作者:杨盛波,唐 宁,覃贤芳

  摘 要: 基于RFID標簽芯片的低功耗要求,設計了一種超低功耗帶隙基準電壓源,電路中的主要MOS管都工作在亞閾值狀態。在spectre環境下仿真表明,當電源電壓為3 V~7 V,溫度在-30 ℃~+120 ℃變化時,輸出基準電壓為1.8 V±0.001 V。電源電壓抑制比(PSRR)為69.5 dB, 并且電路工作電流維持在1.5 μA~7 μA的范圍內。
  關鍵詞: 亞閾值;帶隙基準源;電源抑制比;低功耗

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  一種工作在亞閾區超低功耗帶隙基準源的設計.pdf

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