《電子技術(shù)應(yīng)用》
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两种常见的MOSFET驱动电路设计
摘要: 两种常见的MOSFET驱动电路设计。
Abstract:
Key words :

由分立器件組成的驅(qū)動電路((如圖所示),驅(qū)動電路工作原理如下:

  A.當(dāng)HS為高電平時,Q7、Q4導(dǎo)通,Q6關(guān)閉,電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極,使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電壓Vdc,所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動,電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來維持導(dǎo)通。

  B. 當(dāng)HS為低電平時,Q7、Q4關(guān)閉,Q6導(dǎo)通,為Q5的柵極提供放電回路,從而使Q5很快關(guān)閉。當(dāng)Q5關(guān)閉后,由于下管的開通或負(fù)載的作用,使得Phase電壓下降接近0V,從而使C4經(jīng)過+15V→D2→C4→GND回路充電,為下一次導(dǎo)通做好準(zhǔn)備。

  C. 當(dāng)LS為低電平時,Q8、Q11導(dǎo)通,Q10關(guān)閉,驅(qū)動電路通過R11為下管Q9的柵極充電,使Q9導(dǎo)通。

  D. 當(dāng)LS為高電平時,Q8、Q11關(guān)閉,Q10導(dǎo)通,為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關(guān)斷。

  E. 當(dāng)HS和LS同時為高電平時,上管開通下管關(guān)閉。當(dāng)HS和LS同時為低電平時,上管關(guān)閉下管開通。在實際應(yīng)用中,為了避免上下管同時開通,HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來保證。

  半橋驅(qū)" title="半橋驅(qū)">半橋驅(qū)動芯片組成的驅(qū)動電路

  半橋驅(qū)動芯片組成的驅(qū)動電路如圖所示,工作原理如下:

  A.當(dāng)HS和LS同時為高電平時,HO有驅(qū)動電壓輸出,使Q1開通。當(dāng)HS和LS同時為低電平時,LO有驅(qū)動電壓輸出,使Q2開通。

  B.電容C2與分立器件驅(qū)動電路里的C4作用相同,同樣為自舉電容。

  C.電容C1為去藕電容,為抑制功率MOSFET" title="MOSFET">MOSFET開關(guān)時對驅(qū)動電路浮動電源部分的干擾,一般應(yīng)加上此電容。

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