低成本和高可靠性是離線電源設計中兩個最重要的目標。準諧振 (Quasi resonant) 設計為設計人員提供了可行的方法，以實現這兩個目標。準諧振技術降低了MOSFET的開關損耗，從而提高可靠性。此外，更軟的開關改善了電源的EMI特性，允許設計人員減少使用濾波器的數目，因而降低成本。本文將描述準諧振架構背后的理論及其實施，并說明這類反激式電源的使用價值。
基本知識
現有的L-C 儲能電路正戰略性地用于PWM電源中。結果是L-C 儲能電路的諧振效應能夠“軟化”開關器件的轉換。這種更軟的轉換將降低開關損耗及與硬開關轉換器相關的EMI。由于諧振電路僅在相當于其它傳統方波轉換器的開關轉換瞬間才起作用，故而有 “準諧振”之名。
要理解這種設計的拓撲結構，必須了解MOSFET和變壓器的寄生特性。MOSFET包含若干個寄生電容，主要從器件的物理結構產生。它們可以數學方式簡化為MOSFET輸入電容CISS和MOSFET輸出電容COSS，這里
CISS = CGS + CDG
COSS = CDS + CDG
在硬開關轉換器中，輸出電容COSS是開關損耗的主要來源。
圖1 MOSFET輸入和輸出電容
圖2 變壓器的寄生電容
變壓器也包含了寄生電容(圖2)。這些電容包括繞組間電容和層間電容，它們可以一起轉型為單一的電容CW，也是硬開關轉換器開關損耗的主要來源。
硬開關轉換器中的寄生電容
圖3示出傳統硬開關反激式轉換器。在這種傳統的間斷模式反激式轉換器 (DCM) 的停滯時間期間，寄生電容將與VDC周圍的主要電感發生振蕩。寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化，但始終具有相當大的數值。當下一個時鐘周期的MOSFET 導通時間開始時，寄生電容 (COSS和CW) 會通過MOSFET放電，產生很大的電流尖峰。由于這個電流出現時MOSFET存在一個很大的電壓，該電流尖峰因此會做成開關損耗。此外，電流尖峰含有大量的諧波含量，從而產生EMI。
準諧振反激式設計的實現
如果不用固定的時鐘來初始化導通時間，而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個最小值或谷值，并僅在這時啟動MOSFET導通時間，情況又會如何?結果會是由于寄生電容被充電到最小電壓，導通的電流尖峰將會最小化。這情況常被稱為谷值開關 (Valley Switching) 或準諧振開關。在某些條件下，設計人員甚至可能獲得零電壓開關 (ZVS)，即當MOSFET被激活時沒有漏源電壓。在這情況下，由于寄生電容沒有充電，因此電流尖峰不會出現。這種電源本身是由線路/荷載條件決定的可變頻率系統。換言之，調節是通過改變電源的工作頻率來進行，不管當時負載或線路電壓是多少，MOSFET始終保持在谷底的時候導通。這類型的工作介于連續 (CCM) 和間斷條件模式 (DCM) 之間。因此，以這種模式工作的轉換器被稱作在邊界條件模式 (BCM) 下工作。
圖3 硬開關反激式轉換器
圖4 MOSFET漏-源電壓
準諧振或谷值開關的優勢
在反激式電源設計中采用準諧振或谷值開關方案有著若干優勢。
降低導通損耗
這種設計為設計人員提供了較低的導通損耗。由于FET轉換具有最小的漏源電壓，在某些情況下甚至為零，故可以減小甚至消除導通電流尖峰。這減輕了MOSFET的壓力以及電源的EMI。
降低關斷損耗
準諧振也意味著更小的關斷損耗。由于規定FET會在谷值處進行轉換，在某些情況下，可能會增加額外的漏源電容，以減低漏源電壓的上升速度。較慢的漏源電壓上升時間會減少FET關斷時漏級電流和漏源電壓之間的電壓/電流交迭，使到MOSFET的功耗更少，從而降低其溫度及增強其可靠性。
減少EMI
導通電流尖峰的減小或消除以及較慢的漏源電壓上升速度都會減少EMI。一般而言，這就允許減少EMI濾波器的使用數量，從而降低電源成本。
結語
利用準諧振技術可以協助設計人員實現這些目標。準諧振或谷底開關能減輕MOSFET的壓力，從而提高其可靠性。利用準諧振技術，由于波形的諧波含量降低，電源的EMI因此得以減少。