1 DDR NAND閃存的特性

　　與傳統的48腳NAND Flash引腳定義不同，DDRNAND閃存不再分別劃分讀時鐘(RE#)和寫時鐘(WE#)，而是將讀寫合為1個時鐘，即CLK，而用W／R引腳的高低來區分這次是讀操作還是寫操作，如圖1所示。數據I／O接口也改為正負雙沿采集的DQ數據線。如圖1中DDR NAND閃存部分所示，各引腳功能說明如下：

　　CE1#～CE4#：片選信號，低為使能。一個48腳的物理NAND Flash片子最多能同時包含(封裝)4個NAND Flash。

　　CLE：命令鎖存使能信號，高為使能。

　　ALE：地址鎖存使能信號，高為使能

　　CLK：時鐘信號。

　　W／R#：區分讀寫操作信號，高為寫，低為讀。

　　DQ0～DQ7：數據／地址／命令復用數據線。

　　R／B1#～R／B4#：NAND狀態信號線。

　　VCC，VCCQ：接電源。

　　VSS，VSSQ：接地。

　　R：無定義。

　　2 對DDR NAND閃存的軟件驅動操作

　　DDR NAND與普通NAND Flash一樣，遵從ONFI協議的命令集合，如表1所示。其中，O／M項為M的必選，為O的可選，也就是說標有M的命令所有NAND Flash都支持，而標有O的命令則為部分支持部分不支持。 　　

　　下面分別以NAND Flash最重要最為常用的驅動接口：讀，寫，擦為例，分別說明DDR NAND的操作流程。

　　2．1 讀操作

　　DDR NAND的讀操作和寫操作一般都是以頁為單位操作的，與傳統的NAND Flash一樣，它允許在1個頁讀寫周期內讀取1 Byte到data區與spare區大小之和這么多字節。讀取數據過程為：(1)先向DDRNAND發送讀命令00h。(2)然后接著發送需要讀取的DDR NAND的位置row地址和column地址。(3)接著發送讀確認命令30 Hz，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線，然后開始工作，將相應的一頁數據讀取到DDR NAND里的頁緩沖，讀完后把RB信號線拉高，產生一個RB中斷。(4)主控程序接收到RB中斷后，發送同步時鐘準備信號，即CLE和ALE同時產生一個cycle。(5)接著就可以發送讀數據的clock cycle，每發送一個clock cycle就會在DDR NAND的頁緩沖FIFO中送出2 Byte數據，上升沿一個，下降沿一個，因為DDR NAND是雙沿采數的，同時DDR NAND也會控制DQS信號線與data同步。(6)主控程序發送完讀數據的clock，讀操作結束。如圖2所示。 　　

　　2．2 寫操作

　　在DDR NAND中，寫操作也叫編程。寫操作的單位也是頁，它的操作過程如下：(1)先向DDRNAND發送寫命令80 Hz。(2)然后接著發送需要寫入的DDR NAND的位置row地址和column地址。(3)發送同步時鐘準備信號，即CLE和ALE同時產生一個cycle。(4)接著就可以發送讀數據，發送數據是根據clock產生DQS信號，在DQS信號上下沿分別發送數據到DDR NAND。(5)發完一個page的數據后，接著發送寫確認命令10 Hz，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線，然后開始工作，將相應的一頁數據從DDR NAND里的頁緩沖中正式編程到DDR NAND中，待編程完畢后把RB信號線拉高，產生一個RB中斷，如圖3所示，此時寫操作已完成。

　　2．3 擦除操作

　　DDR NAND的擦除操作單位為block，擦操作比較特殊，它不涉及任何數據，沒有用雙沿操作的地方，所以它的操作過程和時序跟普通NAND Flash是一樣的，操作過程如下：(1)先向DDR NAND發送擦命令60 Hz。(2)接著發送需要擦除的DDR NAND的位置，3 Byte的row地址。(3)發送擦確認命令d0h，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線，然后開始工作，待擦除完畢后再把RB信號線拉高，產生一個RB中斷，一個block擦除完畢。

　　3 結束語

　　從市場方面了解到DDR NAND這種雙沿采數的新型NAND Flash有逐步取代原高端16 bit NANDFlash之勢，成為新的高端閃存。它具有更高的讀寫速率，不需要優化代碼就能輕松突破存儲速度的瓶頸限制。