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Diodes全新DFN3020封装MOSFET节省七成空间

2011-05-12
作者:Diodes

  Diodes公司推出旗下有助節省空間的DFN3020封裝分立式產品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學性能與較大的SOT23封裝器件不相上下,可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET,節省七成的電路板空間。
 
  DFN3020 MOSFET系列的占位面積只有6平方毫米,離板高度為0.8毫米,較采用SOT23或TSOP-6封裝的器件低四成,適用于平板電腦或上網本等空間有限、體積小巧的消費電子產品的負載開關或升壓轉換電路。這款互補型DFN3020 MOSFET還可用作半橋 (half bridge) 來驅動工業應用中的電機負載。
 
  這些MOSFET的結點至環境熱阻 (ROJA) 為83ºC/W,功耗可連續保持在2.4W的高水平,工作溫度也低于SOT23封裝MOSFET可達到的水平,因而有助提高可靠性。
 
  ZXMN2AMC (雙20V N溝道)、ZXMN3AMC (雙30V N溝道) 及ZXMC3AMC (互補30V) DFN3020封裝MOSFET現已開始供應。有關產品的進一步數據,可瀏覽www.diodes.com

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