頭條 美中印欧等正合作打造RISC-V开放标准芯片架构 7 月 8 日消息，据南华早报 7 月 7 日报道，阿里巴巴集团副总裁、达摩院玄铁团队负责人戚肖宁表示，尽管美中技术竞争激烈，但全球 RISC-V 芯片架构合作依然坚韧。 最新資訊 曝国内DPU头部公司停发工资、暴力裁员 近日，有认证为南京芯启源半导体员工的网友在求职平台上爆料，国内DPU头部公司芯启源自三月份以来就已经停发工资、暴力裁员零赔偿、不发年终奖以及区别对待员工等。 资料显示，芯启源于2015年在浙江湖州成立，是一家在集成电路领域具有国际领先水平的高科技公司，拥有高端EDA工具、USB IP、DPU和TCAM芯片等4大拳头产品。芯启源汇聚全球顶尖高科技人才，拥有一支国际化的管理团队，成员均有20年以上行业高管经验或成功创业经验。芯启源研发中心遍布海内外，如美国硅谷、英国伦敦、南非开普敦以及中国上海、南京、北京、武汉等地。公司聚焦网络通讯、5G、云数据中心和人工智能等领域，致力于集成电路核心知识产权（IP）、芯片设计研发、生产及销售，提供最优的芯片及IP解决方案。 發表于：2025/6/25 消息称首款UALink规范高速互联芯片最早可能今年底实现流片 6 月 24 日消息，台媒《电子时报》本月 20 日根据市场传闻报道称，首款支持 UALink 规范高速互联芯片最早可能今年底实现流片，而整个 UALink 阵营目前有数十个在研项目，预计 2026 年将有更多产品加入。 英伟达虽然以 NVLink Fusion IP 授权的形式对第三方部分开放了 NVLink 机架级架构互联技术但仍设有严格限制，仅支持半定制化 / 半自定义模式： 發表于：2025/6/24 砺算科技回应6nm GPU测试成绩拉胯指责 近日，Geekbench数据库当中出现了据称是砺算科技最新6nm GPU G100的参数信息和OpenCL测试数据，显示其性能与英伟达RTX 4060差距巨大，这与之前传闻的G100可以对标RTX 4060的说法不符。对此，砺算科技今天中午发布澄清函回应称，该数据（包括硬件参数及测试数据）不实。GL4.6和OpenCL 3.0等。 發表于：2025/6/24 Techinsights确认华为麒麟处理器最好工艺依然是7nm 6月24日消息，知名半导体行业观察机构TechInsights完成了对麒麟X90的探索性分析，确认该处理器依然采用7nm（N+2）制程工艺，并非传言中的5nm。 麒麟X90由华为MateBook Fold折叠屏鸿蒙电脑搭载，该笔记本于2025年5月推出，搭载自研麒麟X90处理器和自研鸿蒙5操作系统，引发广泛关注。 發表于：2025/6/24 2026年约1/3手机芯片采用2nm/3nm先进工艺 CounterPoint 预测 2026 年约 1/3 出货手机芯片采用 2nm / 3nm 先进工艺 發表于：2025/6/24 阿里云推出自动驾驶模型加速框架PAI-TurboX 训练时间可缩短 50%，阿里云推出自动驾驶模型加速框架 PAI-TurboX 發表于：2025/6/24 三星Exynos 2500旗舰处理器发布 6 月 23 日消息，三星 Exynos 2500 旗舰处理器今日在官网正式发布。 Exynos 2500 基于 3nm 工艺技术打造，搭载最新 Arm 架构的 10 核 CPU，大核性能比上一代提高了 15%，具体包括： Cortex-X925（参数页写为 X5）频率 3.3GHz Cortex-A725 x 2 频率 2.74GHz Cortex-A725 x 5 频率 2.36GHz Cortex-A520 x 2 频率 1.8GHz 發表于：2025/6/24 估值百亿元的国产GPU独角兽沐曦集成完成IPO辅导 6月23日消息，国产GPU厂商沐曦集成已完成IPO辅导，其上市辅导机构为华泰联合证券。 沐曦集成于2020年9月在上海成立，并在北京、南京、成都、杭州、深圳、武汉和长沙等地建立了全资子公司暨研发中心。 發表于：2025/6/24 瑞萨电子因Wolfspeed破产将认列2500亿日元损失 由于碳化硅（SiC）材料大厂Wolfspeed 可能将在近期内申请破产，6月23日，曾与Wolfspeed达成碳化硅供应协议的瑞萨电子，已与 Wolfspeed及其主要债权人签署重组支持协议（以下简称“重组支持协议”），以对 Wolfspeed 进行财务重组。瑞萨预计将认列2500亿日元损失。 發表于：2025/6/24 中国科学院双向高导热石墨膜研究获突破 中国科学院上海微系统所：双向高导热石墨膜研究获突破，为 5G芯片、功率半导体热管理提供技术支撑 6 月 23 日消息，近日，中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究，提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜，在膜厚度达到 40 微米的情况下实现面内热导率 Kin 达到 1754W/m·K，面外热导率 Kout 突破 14.2W/m·K。与传统导热膜相比，双向高导热石墨膜在面内和面外热导率及缺陷控制上均表现出显著优势。 發表于：2025/6/23 <…9596979899100101102103104…>
